夢幻新旗艦！驍龍835樣機、跑分大曝光

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高通今天在國內正式發佈了新旗艦驍龍835，小米6、三星Galaxy S8分別國內、國際首發。

驍龍835採用三星10nm工藝製造，集成八核Kyro 280 CPU，主頻最高2.45GHz，同時集成Adreno 540 GPU、全球首款千兆基帶X16、Spectra 180 ISP、Hexagon 682 DSP，支持QC 4.0快充、LPDDR4X內存、UFS 2.1存儲、802.11ad無線、藍牙5.0。

在發佈會現場，我們也體驗了驍龍835參考設計樣機，一起來看看。

需要注意的是，這只是一部開發機，僅供設計參考，不代表實際產品。

左側是驍龍821，右側是驍龍835：工藝從14nm升級為10nm，尺寸減小35％，功耗降低25％。

高通自己的驍龍835參考設計樣機：外觀很樸素，比較方正，背部攝像頭十分惹眼。

電源鍵在右側。

音量鍵在左側。

底部有3.5mm、USB Type-C。

安兔兔跑分18萬，iPhone 7 Plus的水平，不是很高，不過跑分波動性很大，理論上應該可以超過20萬的。驍龍821最高可以跑到16萬。

安兔兔已經識別得很好：6GB內存、64GB存儲、2K屏幕、2140萬像素攝像頭、安卓7.1.1系統。

GeekBench 4跑分單核心過2000，多核心接近6500，相當優秀了，相比於驍龍821分別提升超過10％、50％。

GFXBench四個項目的離屏成績分別為26FPS、43FPS、64FPS、110FPS，比驍龍821都提高了10+FPS。

3DMark跑分，比驍龍821提高了超過25％。

PCMark跑分。

Google Octane跑分。

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這次核心塞了這麼多

而且8核心都是滿大的Kyro

CPU跑分應該會贏S821許多...

GPU跑分的進步還是同樣步調

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驚為天人