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高通今天在國內正式發佈了 新旗艦驍龍835,小米6、三星Galaxy S8分別國內、國際首發。
驍龍835採用三星10nm工藝製造,集成八核Kyro 280 CPU,主頻最高2.45GHz,同時集成Adreno 540 GPU、全球首款千兆基帶X16、Spectra 180 ISP、Hexagon 682 DSP,支持QC 4.0快充、LPDDR4X內存、UFS 2.1存儲、802.11ad無線、藍牙5.0。
在發佈會現場,我們也體驗了驍龍835參考設計樣機,一起來看看。
需要注意的是,這只是一部開發機,僅供設計參考,不代表實際產品。 左側是驍龍821,右側是驍龍835:工藝從14nm升級為10nm,尺寸減小35%,功耗降低25%。
高通自己的驍龍835參考設計樣機:外觀很樸素,比較方正,背部攝像頭十分惹眼。
電源鍵在右側。
音量鍵在左側。
底部有3.5mm、USB Type-C。
安兔兔跑分18萬,iPhone 7 Plus的水平,不是很高,不過跑分波動性很大,理論上應該可以超過20萬的。驍龍821最高可以跑到16萬。
安兔兔已經識別得很好:6GB內存、64GB存儲、2K屏幕、2140萬像素攝像頭、安卓7.1.1系統。
GeekBench 4跑分單核心過2000,多核心接近6500,相當優秀了,相比於驍龍821分別提升超過10%、50%。
GFXBench四個項目的離屏成績分別為26FPS、43FPS、64FPS、110FPS,比驍龍821都提高了10+FPS。
3DMark跑分,比驍龍821提高了超過25%。
PCMark跑分。
Google Octane跑分。
這次核心塞了這麼多
而且8核心都是滿大的Kyro
CPU跑分應該會贏S821許多...
GPU跑分的進步還是同樣步調
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